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文中指出在 PVK/C60界面存在著4種能量損失的途徑:

1.鈣鈦礦自己內部的缺陷造成損失。

2.鈣鈦礦上的空穴與C60上電子復合損失。

3.C60表面的空穴與電子復合損失。

4.C60內部的空穴與電子復合損失。

為了進一步抑制這2種缺陷模式,一般做法如下：

1.降低C60/PVK界面空穴濃度。

2.引入HBL層。

3.減少C60/PVK的接觸點位(圖案化PVK表面)。

即便C60存在這個問題,但是C60相對于其他ETL材料也具無與倫比的優勢:

  1.高電子親和力和遷移率。

  2.它們的LUMO與許多常見的鈣鈦礦的適當。

  3.球形具有更好的電子垂直傳輸的能力。

C60的溶解性和團聚結晶問題，通過溶液法難以制備出形貌良好的C60薄膜，因此采用熱蒸發是目前C60最好的加工方式。

提一個問題:目前大多鈣鈦礦電池結構引入HBL層BCP,但為何BCP不直接插在PVK/C60中間，而都是插在C60/金屬的界面？有興趣的團隊可以聯系我司，或者問下點評留言均可。

普諾遜真空是一家專業從事鈣鈦礦生產的設備商，目前擁有各種尺寸熱蒸發驗證平臺。歡迎有興趣的團隊來訪洽談。